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L’esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung è un’assoluta novità che supera le limitazioni di densità, le prestazioni e la durata dell’attuale architettura planare della NAND tradizionale.
La 3D V-NAND del 850 EVO è prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull’altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parità di spazio.
